FGAF40N60UFDTU, IGBT Ultrafast 600V 40A 5

PartNumber: FGAF40N60UFDTU
Ном. номер: 8066660461
Производитель: Fairchild Semiconductor
FGAF40N60UFDTU, IGBT Ultrafast 600V 40A 5
Доступно на заказ более 8 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
570 × = 570

Описание

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
Fairchild FGAF40N60UFDTU N-channel IGBT Transistor, 40 A 600 V, 3-pin TO-3PF

Технические параметры

Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
15.5 x 5.5 x 26.5mm
высота
26.5mm
длина
15.5mm
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Continuous Collector Current
40 A
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
100 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
тип упаковки
TO-3PF
Pin Count
3
ширина
5.5mm

Дополнительная информация

FGAF40N60UFD, Ultrafast IGBT 600V 20A