FGB5N60UNDF, БТИЗ транзистор, 10 А, 1.9 В, 73.5 Вт, 600 В, TO-263AB, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
330 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
280 руб.
от 100 шт. —
202 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 2 640 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.9В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 10А |
Power Dissipation | 73.5Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263AB |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FGB5N60UNDF
pdf, 462 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары