FGD3040G2_F085, IGBT, Fairchild, FGD3040G

PartNumber: FGD3040G2_F085
Ном. номер: 8062500212
Производитель: Fairchild Semiconductor
FGD3040G2_F085, IGBT, Fairchild, FGD3040G
Доступно на заказ более 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
150 × = 750
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

Automotive Ignition IGBT, Fairchild Semiconductor
These EcoSPARK2 IGBT devices are optimised for driving automotive ignition coils. They have been stress tested to meet the AEC-Q101 standard.

Quoted current ratings apply when junction temperature Tc = +110°C.

AEC-Q101

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
Fairchild FGD3040G2_F085, 41 A 300 V, 1MHz, 3-Pin DPAK

Технические параметры

Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
300 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
41 А
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±10V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
150 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип корпуса
DPAK
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Ширина
6.22mm
Высота
2.39mm
Длина
6.73mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

FGD3040G2_F085, EcoSPARK2 300mJ 400V ...