FGH40T65UPD, IGBT, Fairchild, FGH40T65

PartNumber: FGH40T65UPD
Ном. номер: 8034668995
Производитель: Fairchild Semiconductor
FGH40T65UPD, IGBT, Fairchild, FGH40T65
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
320 × = 640
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.
от 20 шт. — 190 руб.

Описание

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
Fairchild FGH40T65UPD, 80 A 650 V, 1MHz, 3-Pin TO-247

Технические параметры

Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
15.87 x 4.82 x 20.82
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
80 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
268 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип корпуса
TO-247
Число контактов
3
Скорость переключения
1
Ширина
4.82mm
Высота
20.82mm
Длина
15.87mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

FGH40T65UPD, 650V 40A Field Stop Trench IGBT ...