Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ON Semiconductor › FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop ...

FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 280 руб.

от 15 шт. — 1 240 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 280 руб.

Номенклатурный номер: 9000119317

Артикул: FGH60N60SMD

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.

Технические параметры

Техническая документация

pdf, 1680 КБ

pdf, 648 КБ

pdf, 482 КБ

pdf, 676 КБ

Datasheet FGH60N60SMD-F085

pdf, 372 КБ

FGH60N60SMD

pdf, 391 КБ

FGH60N60SMD_D

pdf, 483 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

С этим товаром покупают

Solins

КПТ-8 250 г, Паста теплопроводящая

750 руб.

Dremel

Versatip 2000, Паяльник газовый

9 900 руб.

MEAN WELL

DRC-60B, Блок питания с функцией UPS, 27.6В,1.4А; 27.6В,0.75А; 59.34Вт

3 090 руб.

Тайвань

CF-50 (С1-4) 0.5 Вт, 2.2 МОм, 5%, Резистор углеродистый

9 руб.

Kinsten

HS 113-150, Радиатор 150х85х24 мм, 5.8 дюйм*градус/Вт

440 руб.

Мы рекомендуем

Драйверы MOSFET и IGBT

Диодные мосты

Диоды быстродействующие

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

Ферритовые сердечники

Технология/семейство	Field Stop/Gen 2
Наличие встроенного диода	Да
Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	120
Импульсный ток коллектора (Icm), А	180
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	600
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	18
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	104
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+175
Корпус	TO-247-3LD
Корпус	to247
Вес, г	7.5