FJP13009H2TU, Transistor GP BJT NPN 400

PartNumber: FJP13009H2TU
Ном. номер: 8104719344
Производитель: Fairchild Semiconductor
FJP13009H2TU, Transistor GP BJT NPN 400
Доступно на заказ более 40 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
120 × = 600
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 66 руб.
от 100 шт. — 44.30 руб.

Описание

High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors

Полупроводники / Дискретные компоненты / Биполярные транзисторы /
Fairchild FJP13009H2TU NPN High Voltage Bipolar Transistor, 12 A, 400 V, 3-pin TO-220

Технические параметры

конфигурация
Single
размеры
9.9 x 4.5 x 9.2mm
высота
9.2mm
длина
9.9mm
Maximum Collector Base Voltage
700 V
Maximum Collector Emitter Voltage
400 V
Maximum DC Collector Current
12 A
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
100 W
тип монтажа
Screw
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-220
Pin Count
3
ширина
4.5mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Minimum DC Current Gain
6
Transistor Type
NPN

Дополнительная информация

Datasheet