FJP13009H2TU, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 4 МГц, 100 Вт, 12 А, 8 hFE

PartNumber: FJP13009H2TU
Ном. номер: 8007471562
Производитель: Fairchild Semiconductor
FJP13009H2TU, Биполярный транзистор, NPN ...
Доступно на заказ 418 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
110 × = 110
от 25 шт. — 70 руб.
от 100 шт. — 42 руб.

Описание

The FJP13009H2TU is a high voltage fast-switching NPN epitaxial planar Power Transistor. The FJP13009H2TU is available with multiple hFE bin classes for ease of design use. Designed for high speed switching applications and offers excellent power dissipation.

• High voltage capability
• High switching speed
• 700V Collector-base voltage
• 9V Emitter-base voltage
• 6A Base current

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Код: 1700664

Технические параметры

Полярность Транзистора
NPN
Напряжение Коллектор-Эмиттер
400В
Частота Перехода ft
4МГц
Рассеиваемая Мощность
100Вт
DC Ток Коллектора
12А
DC Усиление Тока hFE
8hFE
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C

Дополнительная информация

Datasheet FJP13009H2TU