FJP2145TU, ESBC NPN Transistor 800V

PartNumber: FJP2145TU
Ном. номер: 8028349827
Производитель: Fairchild Semiconductor
FJP2145TU, ESBC NPN Transistor 800V
Доступно на заказ более 60 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
72 × = 720
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 50 шт. — 48 руб.
от 100 шт. — 35.30 руб.

Описание

ESBC™ Power Transistor, Fairchild Semiconductor
Bipolar NPN power transistors designed for use in ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) configurations together with appropriate power MOSFET devices. This power switch configuration provides increased efficiency, flexibility and robustness and driving power is minimized due to the absence of Miller capacitance in the design.

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Bipolar Transistors Cam & Groove Couplings - Polypropylene

Полупроводники / Дискретные компоненты / Биполярные транзисторы, переключаемые эмиттером /
ESBC NPN Transistor 800V 2A TO220

Технические параметры

Категория
Мощный транзистор
Размеры
10.67 x 4.83 x 16.51мм
Максимальный пост. ток коллектора
5 A
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Максимальное рассеяние мощности
120 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип корпуса
TO-220
Число контактов
3
Ширина
4.83mm
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
8
Максимальное напряжение база-исток
±20V
Тип транзистора
NPN
Максимальный ток базы
1.5A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
0.202V
Высота
16.51mm
Длина
10.67mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

FJP2145, ESBC (Emitter-Switched ...