FP25R12W2T4PBPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 25 А, 1.85 В, 150 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

13 210 руб.

от 5 шт. — 11 820 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 13 210 руб.

Номенклатурный номер: 8001717264

Артикул: FP25R12W2T4PBPSA1

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY

Collector Emitter Saturation Voltage	1.85В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	25А
DC Ток Коллектора	25А
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	PIM Three Phase Input Rectifier
Линейка Продукции	EasyPIM 2B
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.85В
Полярность Транзистора	Шесть N Каналов
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 4(Trench/Field Stop)
Другие названия товара №	FP25R12W2T4P SP001585180
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	18
Серия	IGBT4
Тип продукта	IGBT Modules
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	25 A
Maximum Gate Emitter Voltage	20V
Maximum Power Dissipation	20 mW
Number of Transistors	7
Package Type	EASY2B
Вес, г	0.36