FP25R12W2T7B11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM, 25 А, 1.6 В, 175 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 360 руб.
от 5 шт. —
10 500 руб.
от 10 шт. —
9 270 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 11 360 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
The Infineon 25 A PIM IGBT module has compact design and used PRESSFIT contact technology. It has low on state voltage VCEsat.
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 25А |
DC Ток Коллектора | 25А |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | PIM |
Линейка Продукции | EasyPIM TRENCHSTOP |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.6В |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 7(Trench/Field Stop) |
Channel Type | N |
Configuration | Hex |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 25 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Number of Transistors | 7 |
Package Type | EasyPIM |
Pin Count | 23 |
Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet FP25R12W2T7B11BPSA1
pdf, 858 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары