FP50R12KE3BOSA1, IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
38 470 руб.
от 5 шт. —
35 780 руб.
от 10 шт. —
33 130 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 38 470 руб.
Описание
Описание Модуль CBI, 1200В 75A ECONO Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | модуль |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Type | N |
Configuration | Hex |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1200 |
Maximum Continuous Collector Current (A) | 75 |
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.4 |
Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 125 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 270 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Mounting | Screw |
Packaging | Tray |
Part Status | Active |
PCB changed | 35 |
Pin Count | 35 |
PPAP | No |
Supplier Package | ECONO3-3 |
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.7 |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 280 W |
Number of Transistors | 7 |
Вес, г | 0.306 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 747 КБ
Datasheet FP50R12KE3BOSA1
pdf, 565 КБ
Дополнительная информация
Похожие товары