FP50R12KT4GBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, NPN, 50 А, 1.85 В, 280 Вт, 1.2 кВ, Module

PartNumber: FP50R12KT4GBOSA1
Ном. номер: 8102666387
Производитель: Infineon Technologies
FP50R12KT4GBOSA1, БТИЗ массив и модульный ...
Доступно на заказ 6 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
Бесплатная доставка по городам Москва, Санкт-Петербург, Краснодар, Нижний Новгород
14 650 × = 14 650
или
купить в 1 клик
от 5 шт. — 13 700 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули
Код: 2377260

Технические параметры

Полярность Транзистора
NPN
DC Ток Коллектора
50А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.85В
Рассеиваемая Мощность
280Вт
Напряжение Коллектор-Эмиттер
1.2кВ
Стиль Корпуса Транзистора
Module
Количество Выводов
35вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C

Дополнительная информация

Datasheet FP50R12KT4GBOSA1