FQB5N90TM, MOSFET, Fairchild, FQB5N9

PartNumber: FQB5N90TM
Ном. номер: 8038978457
Производитель: Fairchild Semiconductor
FQB5N90TM, MOSFET, Fairchild, FQB5N9
Доступно на заказ более 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
170 × = 850
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 120 руб.
от 50 шт. — 108.60 руб.

Описание

QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET, Fairchild, FQB5N90TM

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Максимальный непрерывный ток стока
5.4 A
Максимальное сопротивление сток-исток
2.3 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
900 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
158 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
D2PAK
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
31 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1200 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
65 нс
Типичное время задержки включения
28 ns
Ширина
9.65mm
Материал транзистора
Кремний
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
4.83mm
Длина
10.67mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

FQB5N90, N-Channel QFET MOSFET 900V 5.4A 2.3 ...