FQD2N60CTM, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 1.9 А, 600 В, 3.6 Ом, 10 В, 4 В

PartNumber: FQD2N60CTM
Ном. номер: 8082475940
Производитель: Fairchild Semiconductor
FQD2N60CTM, Силовой МОП-транзистор, N Канал ...
Доступно на заказ 945 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
60 × = 60
от 25 шт. — 54 руб.
от 50 шт. — 34 руб.

Описание

The FQD2N60CTM is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• Low gate charge (8.5nC)
• Low Crss (4.3pF)
• 100% avalanche tested

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2453897

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
1.9А
Напряжение Истока-стока Vds
600В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
3.6Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
44Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252AA
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet FQD2N60CTM