FQP12P20, Транзистор, QFET, P-канал, 200В, 11.5А [TO-220]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
от 15 шт. —
151 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 190 руб.
Описание
MOSFET, P, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:11.5A; Drain Source Voltage Vds:-200V; On Resistance Rds(on):0.36ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-5V; Power Dissipation Pd:120W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Alternate Case Style:SOT-78B; Avalanche Single Pulse Energy Eas:810mJ; Current Id Max:-11.5A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pin Configuration:a; Pin Format:1G,(2+Tab)D, 3S; Power Dissipation Ptot Max:120W; Pulse Current Idm:46A; Voltage Vds:200V; Voltage Vds Typ:-200V; Voltage Vgs Max:-30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11.5 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.47 Ом/5.75А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 120 | |
Корпус | to-220 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Документация
pdf, 1343 КБ
FQP12P20
pdf, 1232 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают