FQP12P20, Транзистор, QFET, P-канал, 200В, 11.5А [TO-220]

Фото 1/2 FQP12P20, Транзистор, QFET, P-канал, 200В, 11.5А [TO-220]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
190 руб.
от 15 шт.151 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 190 руб.
Номенклатурный номер: 9000160748
Артикул: FQP12P20

Описание

MOSFET, P, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:11.5A; Drain Source Voltage Vds:-200V; On Resistance Rds(on):0.36ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-5V; Power Dissipation Pd:120W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Alternate Case Style:SOT-78B; Avalanche Single Pulse Energy Eas:810mJ; Current Id Max:-11.5A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pin Configuration:a; Pin Format:1G,(2+Tab)D, 3S; Power Dissipation Ptot Max:120W; Pulse Current Idm:46A; Voltage Vds:200V; Voltage Vds Typ:-200V; Voltage Vgs Max:-30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V

Технические параметры

Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 11.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.47 Ом/5.75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 120
Корпус to-220
Вес, г 2.5

Техническая документация

Документация
pdf, 1343 КБ
FQP12P20
pdf, 1232 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов