FQP13N50C, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220]
![Фото 1/3 FQP13N50C, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/652/DOC001652292.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
280 руб.
от 15 шт. —
239 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 280 руб.
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 13A I(D), 500V, 0.48OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.48 Ом/6.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 195 | |
| Крутизна характеристики, S | 15 | |
| Корпус | to-220 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
