FQP2N60C, Транзистор, N-канал 600В 2А [TO-220]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 руб.
от 15 шт. —
176 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.7 Ом/1А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 54 | |
Крутизна характеристики, S | 5 | |
Корпус | to-220 | |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
FQP2N60C datasheet
pdf, 831 КБ
Документация
pdf, 1596 КБ
FQPF2N60C_D
pdf, 1597 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают