Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FQP6N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В ...

FQP6N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 5.5А [TO-220]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

220 руб.

от 15 шт. — 215 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 220 руб.

Номенклатурный номер: 9000313276

Артикул: FQP6N80C

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	5.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	2.5 Ом/2.75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	158
Корпус	to-220
Вес, г	2.5