FQPF2N80, MOSFET N-Channel 800V 1.5

PartNumber: FQPF2N80
Ном. номер: 8040176770
Производитель: Fairchild Semiconductor
FQPF2N80, MOSFET N-Channel 800V 1.5
Доступно на заказ 25 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
150 × = 750
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 89 руб.

Описание

QFET® N-Channel MOSFET, up to 5A, Fairchild Semiconductor QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 800V 1.5A TO220F

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.16 x 4.7 x 9.19
Максимальный непрерывный ток стока
1.5 A
Максимальное сопротивление сток-исток
6.3 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
800 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
35 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-220F
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
12 nC@ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
425 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
25 ns
Типичное время задержки включения
12 ns
Ширина
4.7mm
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
9.19mm
Длина
10.16mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3- TO-220F