FQPF3N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 3А [TO-220F]
![Фото 1/6 FQPF3N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 3А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412892.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
от 15 шт. —
140 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 180 руб.
Описание
МОП-транзистор 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.8 Ом/1.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 39 | |
| Корпус | TO-220F | |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FQPF3N80C
pdf, 810 КБ
Документация
pdf, 886 КБ
FQPF3N80C
pdf, 888 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
