FQPF7N65C, Транзистор N-CH 650V 7A [TO-220F]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 руб.
от 15 шт. —
285 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 320 руб.
Описание
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.4 Ом/3.5А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 52 | |
Крутизна характеристики, S | 8 | |
Корпус | TO-220F | |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FQPF7N65C
pdf, 3407 КБ
Datasheet FQPF7N65CYDTU
pdf, 2282 КБ
FQPF7N65C
pdf, 2265 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают