FQT5P10TF, МОП-транзистор, P Канал, -1 А, -100 В, 820 мОм, -10 В, -4 В

PartNumber: FQT5P10TF
Ном. номер: 8072539693
Производитель: Fairchild Semiconductor
FQT5P10TF, МОП-транзистор, P Канал, -1 А ...
Доступно на заказ 1080 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
20 × = 100
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 19 руб.

Описание

The FQT5P10TF is a -100V P-channel QFET® MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications.

• Low gate charge (typical 6.3nC)
• Low Crss (typical 18pF)
• 100% Avalanche tested
• ±30V Gate to source voltage
• 62.5°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2464125

Технические параметры

Полярность Транзистора
P Канал
Непрерывный Ток Стока
-1А
Напряжение Истока-стока Vds
-100В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.82Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-10В
Пороговое Напряжение Vgs
-4В
Рассеиваемая Мощность
2Вт
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-223
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet FQT5P10TF