FQT7N10LTF, МОП-транзистор, N Канал, 1.7 А, 100 В, 275 мОм, 10 В, 2 В

PartNumber: FQT7N10LTF
Ном. номер: 8039734565
Производитель: Fairchild Semiconductor
FQT7N10LTF, МОП-транзистор, N Канал, 1.7 А ...
Доступно на заказ 5875 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
22 × = 22
от 150 шт. — 21 руб.

Описание

The FQT7N10LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.

• 100% Avalanche tested
• 5.8nC Typical low gate charge
• 10pF Typical low Crss

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2101412

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
1.7А
Напряжение Истока-стока Vds
100В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.275Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
2Вт
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-223
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet FQT7N10LTF