FQU11P06TU, Транзистор, Р-канал 60В 9.4А [I-PAK]
![Фото 1/2 FQU11P06TU, Транзистор, Р-канал 60В 9.4А [I-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC005313997.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 15 шт. —
114 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology.
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.4 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.185 Ом/4.7А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
| Крутизна характеристики, S | 4.9 | |
| Корпус | IPAK | |
| Пороговое напряжение на затворе | -3…-5 | |
| Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
