FQU13N06LTU, МОП-транзистор, N Канал, 11 А, 60 В, 0.092 Ом, 10 В, 2.5 В

PartNumber: FQU13N06LTU
Ном. номер: 8108385398
Производитель: Fairchild Semiconductor
FQU13N06LTU, МОП-транзистор, N Канал, 11 А ...
Доступно на заказ 3350 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
33 × = 33
от 10 шт. — 28 руб.
от 25 шт. — 25 руб.

Описание

The FQU13N06LTU is a QFET® enhancement-mode N-channel Power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.

• Low level gate drive requirements allowing direct operation form logic drivers
• 100% Avalanche tested
• 4.8nC Typical low gate charge
• 17pF Typical low Crss

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2454173

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
11А
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.092Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2.5В
Рассеиваемая Мощность
28Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-251AA
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C

Дополнительная информация

Datasheet FQU13N06LTU