FS100R12KE3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 140 А, 1.7 В, 480 Вт, 125 °C, Module
![Фото 1/2 FS100R12KE3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 140 А, 1.7 В, 480 Вт, 125 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/506/DOC033506281.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
50 390 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 50 390 руб.
Описание
Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 480W 36-Pin ECONO3-4 Tray
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Type | N |
| Configuration | Hex |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1200 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 140 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.4 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 125 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 480 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Mounting | Screw |
| Packaging | Tray |
| Part Status | NRND |
| PCB changed | 36 |
| Pin Count | 36 |
| PPAP | No |
| Supplier Package | ECONO3-4 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.7 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 140 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 480 W |
| Number of Transistors | 6 |
| Вес, г | 348.8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 282 КБ
Datasheet FS100R12KE3BOSA1
pdf, 449 КБ
Дополнительная информация
Похожие товары
