FS3L200R10W3S7FB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three level Inverter, 70 А, 1.27 В, 150 °C, Module

Фото 1/2 FS3L200R10W3S7FB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three level Inverter, 70 А, 1.27 В, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
44 830 руб.
от 5 шт.37 300 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 44 830 руб.
Номенклатурный номер: 8004240524
Артикул: FS3L200R10W3S7FB11BPSA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.27В
Collector Emitter Voltage Max 950В
Continuous Collector Current 70А
DC Ток Коллектора 70А
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ Three level Inverter
Линейка Продукции EasyPACK TRENCHSTOP
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 950В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.27В
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 7(Trench/Field Stop)
Другие названия товара № FS3L200R10W3S7F_B11 SP003733416
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP ~ EasyPACK
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 8
Серия Trenchstop IGBT7
Тип продукта IGBT Modules
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tray
Base Product Number FS3L200 ->
Configuration Three Level Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 70A
Current - Collector Cutoff (Max) 31ВµA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 6.48nF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tray
Package / Case Module
Power - Max 20mW
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series EasyPACKв„ў ->
Supplier Device Package AG-EASY3B
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.55V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 950V
Вес, г 816.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1154 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов