FS50R12W1T7B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 50 А, 1.5 В, 175 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 070 руб.
от 5 шт. —
12 290 руб.
от 10 шт. —
11 340 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 070 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 50А |
DC Ток Коллектора | 50А |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Six Pack(Full Bridge) |
Линейка Продукции | EasyPACK |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.5В |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 7(Trench/Field Stop) |
Другие названия товара № | FS50R12W1T7_B11 SP002952274 |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP ~ EasyPACK |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 24 |
Серия | Trenchstop IGBT7 |
Тип продукта | IGBT Modules |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tray |
Channel Type | N |
Configuration | Common Emitter |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Mounting Type | Panel Mount |
Number of Transistors | 6 |
Вес, г | 40 |
Техническая документация
Datasheet FS50R12W1T7B11BOMA1
pdf, 762 КБ
Datasheet FS50R12W1T7B11BOMA1
pdf, 798 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары