FZ400R12KE3HOSA1 Single IGBT Module, 650 A 1200 V, 5-Pin 62MM Module, Panel Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
47 530 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 47 530 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 650 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2.25 kW |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | 62MM Module |
| Pin Count | 5 |
| Switching Speed | 1MHz |
| Transistor Configuration | Single |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 650А |
| DC Ток Коллектора | 650А |
| Power Dissipation | 2.25кВт |
| Выводы БТИЗ | Tab |
| Конфигурация БТИЗ | Single Switch |
| Линейка Продукции | Standard 62mm |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 125°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Рассеиваемая Мощность | 2.25кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
| Вес, кг | 1.67 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Похожие товары
