G3R160MT12J, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 22 А, 1.2 кВ, 0.16 Ом, TO-263 (D2PAK)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3800 шт., срок 8-10 недель
1 930 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
1 800 руб.
от 10 шт. —
1 620 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 3 860 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)
Vds:1.2Kv; No. Of Pins:7Pins; Rds(On) Test Voltage:15V; Power Dissipation:128W Rohs Compliant: Yes |Genesic Semiconductor G3R160MT12J
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.16Ом |
Power Dissipation | 128Вт |
Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Линейка Продукции | G3R |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
Непрерывный Ток Стока | 22А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.69В |
Рассеиваемая Мощность | 128Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.16Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Вес, г | 1.39 |
Техническая документация
Datasheet G3R160MT12J
pdf, 1304 КБ
Документация
pdf, 1097 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.