G3R30MT12J, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 96 А, 1.2 кВ, 0.03 Ом, TO-263 (D2PAK)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4 шт., срок 8-10 недель

5 950 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 950 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8007311610

Артикул: G3R30MT12J

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)

Транзистор полевой MOSFET SIC N-канальый 1200В 96А, 459Вт

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.03Ом
Power Dissipation	459Вт
Количество Выводов	7вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора	Single
Линейка Продукции	G3R
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Напряжение Измерения Rds(on)	15В
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Непрерывный Ток Стока	96А
Пороговое Напряжение Vgs	2.69В
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263(D2PAK)
Вес, г	1.39