G3R350MT12J, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 11 А, 1.2 кВ, 0.35 Ом, TO-263 (D2PAK)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 шт., срок 8-10 недель

1 440 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 2 880 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8007311611

Артикул: G3R350MT12J

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.35Ом
Power Dissipation	75Вт
Количество Выводов	7вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора	Single
Линейка Продукции	G3R
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Напряжение Измерения Rds(on)	15В
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Непрерывный Ток Стока	11А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.69В
Рассеиваемая Мощность	75Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.35Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263(D2PAK)
Вес, г	1.39