G3R40MT12K, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 71 А, 1.2 кВ, 0.04 Ом, TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
551 шт., срок 7-9 недель
4 830 руб.
от 5 шт. —
4 390 руб.
от 10 шт. —
4 120 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 830 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.04Ом |
Power Dissipation | 333Вт |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Линейка Продукции | G3R |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
Непрерывный Ток Стока | 71А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.69В |
Рассеиваемая Мощность | 333Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.04Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Вес, г | 1.39 |
Техническая документация
Datasheet G3R40MT12K
pdf, 1084 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары