GD100HFX65C1S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 127 А, 1.45 В, 319 Вт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18 шт., срок 8-10 недель
9 650 руб.
от 5 шт. —
9 170 руб.
от 10 шт. —
8 560 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 650 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.45В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 127А |
DC Ток Коллектора | 127А |
Power Dissipation | 319Вт |
Выводы БТИЗ | Stud |
Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 650В |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.45В |
Рассеиваемая Мощность | 319Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Вес, г | 300 |
Техническая документация
Datasheet GD100HFX65C1S
pdf, 173 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары