GD600HFX170C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 1.069 кА, 1.85 В, 4.166 кВт, 150 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

10 шт., срок 8-10 недель

Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка

51 910 руб.

от 5 шт. — 45 860 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 51 910 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004293339

Артикул: GD600HFX170C6S

Бренд: STARPOWER

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

IGBT модуль 1700B 600А 2 in one-package

Collector Emitter Saturation Voltage	1.85В
Collector Emitter Voltage Max	1.7кВ
Continuous Collector Current	1.069кА
DC Ток Коллектора	1.069кА
Power Dissipation	4.166кВт
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.85В
Рассеиваемая Мощность	4.166кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	Trench Field Stop
Вес, г	300