GD600HFX65C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 768 А, 1.45 В, 1.875 кВт, 150 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4 шт., срок 8-10 недель

Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка

26 510 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 26 510 руб.

Номенклатурный номер: 8004564430

Артикул: GD600HFX65C2S

Бренд: STARPOWER

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Collector Emitter Saturation Voltage	1.45В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	768А
DC Ток Коллектора	768А
Power Dissipation	1.875кВт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.45В
Рассеиваемая Мощность	1.875кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	Trench Field Stop
Вес, г	300