GD600HFY120P1S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 951 А, 1.7 В, 3.1 кВт, 150 °C, Module

GD600HFY120P1S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 951 А, 1.7 В, 3.1 кВт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
9 шт., срок 8-10 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
61 960 руб.
от 5 шт.57 580 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 61 960 руб.
Номенклатурный номер: 8004293340
Артикул: GD600HFY120P1S
Бренд: STARPOWER

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.7В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 951А
DC Ток Коллектора 951А
Power Dissipation 3.1кВт
Выводы БТИЗ Stud
Конфигурация БТИЗ Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.7В
Рассеиваемая Мощность 3.1кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ Trench Field Stop
Вес, г 825

Техническая документация

Datasheet GD600HFY120P1S
pdf, 201 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.