GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Цена и сроки поставки по запросу
600 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 600 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
Технология/семейство | Gen 4 | |
Наличие встроенного диода | Да | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 30 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 60 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 75 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
Корпус | 2-16F1A | |
Вес, г | 5.8 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов