GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]
![GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426403.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
69 шт. со склада г.Москва
1 900 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 900 руб.
Технические параметры
| Технология/семейство | Gen 6.5 | |
| Наличие встроенного диода | Да | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1800 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 40 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 80 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 375 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 | |
| Корпус | TO-3P(N) | |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet GT40WR21
pdf, 381 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
