GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]
![Фото 1/2 GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]](https://static.chipdip.ru/lib/303/DOC005303031.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
31 шт. со склада г.Москва
1 320 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 320 руб.
Описание
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Технические параметры
| Технология/семейство | Gen 4 | |
| Наличие встроенного диода | Да | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 100 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 240 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
| Корпус | 2-21F2C | |
| Вес, г | 9.75 |
Техническая документация
GT50J325
pdf, 167 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают
