GT50JR22, IGBT N-Ch 600V 50A Enhanc

PartNumber: GT50JR22
Ном. номер: 8005119468
Производитель: Toshiba
GT50JR22, IGBT N-Ch 600V 50A Enhanc
Доступно на заказ более 8 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
610 × = 610

Описание

IGBT Discretes, Toshiba

IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
IGBT N-Ch 600V 50A Enhancement TO3PN

Технические параметры

Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±25V
Тип канала
N
Тип монтажа
Through Hole
Скорость переключения
1MHz
Конфигурация
Single
Размеры
15.5 x 4.5 x 20
Длина
15.5mm
Тип корпуса
TO-3P
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 V
Максимальная рабочая температура
175 °C
Высота
20mm
Максимальный непрерывный ток коллектора
50 A
Число контактов
3
Максимальное рассеяние мощности
230 W
Ширина
4.5mm

Дополнительная информация

GT50JR22, Silicon N-Channel IGBT Data Sheet