GT60J323(Q), GT60J323(Q) IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-3PLH, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт., срок 7 недель
2 610 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 610 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 60 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±25V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-3PLH |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 12 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
