GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
95 шт. со склада г.Москва
890 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 890 руб.
Технические параметры
Технология/семейство | Gen 4 | |
Наличие встроенного диода | Да | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1000 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 60 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.8 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 170 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 330 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 700 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
Корпус | 2-21F2C | |
Вес, г | 9.8 |
Техническая документация
GT60N321_datasheet_en_20131101 - копия
pdf, 211 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают