HFA3127BZ, Массив биполярных транзисторов, NPN, 8 В, 37 мА, 150 мВт, 130 hFE, SOIC
см. техническую документацию
Описание
The HFA3127BZ is a NPN ultra-high frequency Bipolar Transistor Array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The NPN transistors exhibit a fT of 8GHz while the PNP transistors provide a fT of 5.5GHz. Both types exhibit low noise (3.5dB), making them ideal for high frequency amplifier and mixer applications. Access is provided to each of the terminals for the individual transistors for maximum application flexibility. Monolithic construction of these transistor arrays provides close electrical and thermal matching of the five transistors.
• 3.5dB Noise figure (50R) at 1GHz
• <1pA Collector to collector leakage
• Complete isolation between transistors
Технические параметры
DC Ток Коллектора | 37мА |
DC Усиление Тока hFE | 130hFE |
Количество Выводов | 16вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 125 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 8В |
Полярность Транзистора | NPN |
Рассеиваемая Мощность | 150мВт |
Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.