Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ON Semiconductor › HGT1S10N120BNST, IGBT, SINGLE, 1.2KV, 35A ...

HGT1S10N120BNST, IGBT, SINGLE, 1.2KV, 35A, TO-263AB-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

680 руб.

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 10 шт. — 610 руб.

от 100 шт. — 480 руб.

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 2 720 руб.

Номенклатурный номер: 8445868241

Артикул: HGT1S10N120BNST

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

• Short-circuit rating
• Avalanche rated
• 2.45V @ IC = 10A Low saturation voltage
• 140ns Fall time @ TJ = 150°C
• 298W Total power dissipation @ TC = 25°C

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage	2.45В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	35А
Power Dissipation	298Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263AB
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Channel Type	N
Collector Current (DC)	35(A)
Configuration	Single
Gate to Emitter Voltage (Max)	±20(V)
Mounting	Surface Mount
Operating Temperature (Max)	150C
Operating Temperature (Min)	-55C
Operating Temperature Classification	Military
Package Type	D2PAK
Packaging	Tape and Reel
Pin Count	2+Tab
Rad Hardened	No
Вес, г	1.312