Добавить к сравнению Сравнить ()

HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А D2PAK

Артикул: HGT1S7N60C3DS9A
Ном. номер: 9000119191
Производитель: Fairchild Semiconductor
HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А D2PAK
Есть в наличии более 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
87 × = 87
от 3 шт. — 68 руб.
от 30 шт. — 67 руб.
Цена и наличие в магазинах

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.6
Управляющее напряжение,В
5
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-40…150
Корпус

Техническая документация

HGT1S7N60C3DS
pdf, 557 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов