Добавить к сравнению Сравнить ()

HGTG10N120BND, IGBT транзистор

Артикул: HGTG10N120BND
Ном. номер: 4827433803
Производитель: Fairchild Semiconductor
HGTG10N120BND, IGBT транзистор
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
220 × = 220
от 5 шт. — 160 руб.
от 50 шт. — 147 руб.
Цена и наличие в магазинах

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.45
Управляющее напряжение,В
6.8
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…+150
Корпус

Техническая документация

HGTG10N120BND
pdf, 106 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов