HGTG10N120BND, Транзистор IGBT 1200В 17А [TO-247]

Фото 1/2 HGTG10N120BND, Транзистор IGBT 1200В 17А [TO-247]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
600 руб.
от 15 шт.555 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 600 руб.
Номенклатурный номер: 4827433803
Артикул: HGTG10N120BND

Описание

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А

Технические параметры

Технология/семейство NPT
Наличие встроенного диода Да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 35
Импульсный ток коллектора (Icm), А 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 165
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус TO-247
Вес, г 7.5

Техническая документация

HGTG10N120BND
pdf, 106 КБ
HGTG10N120BND_D
pdf, 436 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов