HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
300 руб.
от 15 шт. —
265 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 300 руб.
Описание
IGBT, TO-247; DC Collector Current:54A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.7V; Power Dissipation Pd:167W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Alternate Case Style:SOT-249; Current Ic Continuous a Max:54A; Current Temperature:25°C; Device Marking:HGTG12N60A4D; Fall Time tf:18ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Power Dissipation Max:167W; Pulsed Current Icm:96A; Rise Time:16ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Transistor Type:IGBT; Voltage Vces:600V
Технические параметры
Технология/семейство | SMPS Series | |
Наличие встроенного диода | Да | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 54 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 96 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.7 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 167 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 17 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 96 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
Корпус | TO-247 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают