Добавить к сравнению Сравнить ()

HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247]

Артикул: HGTG20N60A4D
Ном. номер: 9000044129
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/3 HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247]
Фото 2/3 HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247]Фото 3/3 HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247]
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
Ожидается поступление: 27 января 2017 г. — 80 шт.
250 × = 250
от 5 шт. — 210 руб.
от 50 шт. — 193 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The HGTG20N60A4D is a 600V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. This SMPS series is a member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBT combines the best features of MOSFET and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. Offers lower conduction loss and lower switching loss for designing high efficiency and reliable systems. Fairchild offers an extensive portfolio of IGBT devices by various process technologies from 300V to greater than 1200V. Optimized manufacturing process results in better control and repeatability of the top-side structure, resulting in tighter specifications and better EMI performance. This product is general usage and suitable for many different applications.

• 55ns at TJ = 125°C Fall time

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.8
Управляющее напряжение,В
5.5
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…150
Корпус

Техническая документация

HGTG20N60A4D datasheet
pdf, 148 КБ

Дополнительная информация

Datasheet HGTG20N60A4D
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов