Добавить к сравнению Сравнить ()

HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А, [TO-247]

Артикул: HGTG30N60A4
Ном. номер: 9000047217
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/3 HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А, [TO-247]
Фото 2/3 HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А, [TO-247]Фото 3/3 HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А, [TO-247]
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
250 × = 250
от 5 шт. — 230 руб.
от 50 шт. — 215 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The HGTG30N60A4 is a SMPS IGBT combines the best features of high input impedance of a MOSFET and low on state conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications.

• Low saturation voltage
• Low conduction losses due to low on-state resistance
• 58ns fall time at 125°C junction temperature

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.6
Управляющее напряжение,В
7
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…150
Корпус

Техническая документация

HGTG30N60A4 datasheet
pdf, 197 КБ
HGTG30N60A4 datasheet
pdf, 197 КБ

Дополнительная информация

Datasheet HGTG30N60A4
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов